در این فرآیند، خشک کردن لایه روکش سیمکشی، کاری ساده و غیرپیچیده نیست؛ بلکه یک شرط حیاتی برای انجام صحیح فرآیند است.
تغییر دما به میزان ۱.۵ درجه سانتیگراد، باعث تغییر ضخامت لایه روکش روی ویفر میشود؛ در نتیجه، چرخه لیتوگرافی متوقف خواهد شد. اگر قصد دارید که فرآیند تولید بدون هیچ نقصی انجام شود، این دستگاه باید به عنوان یک متغیر ثابت عمل کند، نه یک متغیر پیچیده که نیاز به کنترل دائمی داشته باشد.
آنچه اهمیت دارد
ما این سیستم را با استفاده از فرابنفش کوتاهامواج و فرستندههای کوارتز-هالوژنی ساختیم؛ این فرستندهها برای تخلیه سریع انرژی و حفظ آن در سطح ویفر، طراحی شدهاند.
یکنواختی، شرط اساسی است؛ یعنی تغییر دما باید در حد ±۰.۱ درجه سانتیگراد در سراسر ویفر باشد. کنترل خطی، دمای لایه روکش را مستقیماً با استفاده از دستگاههای پیرومتری اندازهگیری میکند؛ بنابراین مقدار تنظیم شده، دقیقاً مطابق با آنچه اهمیت دارد، خواهد بود.
معیارهای اتاقهای تمیز، از کلاس ۱ تا ۱۰۰ است؛ مواد استفاده شده دارای میزان گاز کمی هستند، و جریان هوا به گونهای است که تولید ذرات در آن صفر باشد. تکرارپذیری فرآیند، از طریق تنظیم دقیق دما، زمان و سرعت انجام فرآیند، حاصل میشود؛ بنابراین هر بار، شرایط یکسانی برقرار خواهد بود.
چرا این روش در عمل مؤثر است
این سیستم برای خشک کردن لایه روکش سیمکشی، بلافاصله پس از پوشاندن ویفر، طراحی شده است؛ در این مرحله، باید رطوبت و مواد حلشونده از روی ویفر حذف شوند، بدون اینکه به لایه روکش آسیب برسد یا باعث تغییر شکل آن شود.
سرعت بالای انتقال گرما، زمان ماندن ویفر در محیط گرم را کاهش میدهد؛ در نتیجه، خطر تشکیل اکسید روی سطح ویفر کاهش مییابد. وقتی که فرآیند خشک کردن به طور دقیق قابل تکرار باشد، کنترل ابعاد حیاتی ویفر بهبود مییابد و نقصهای مربوط به لایه روکش کاهش مییابد؛ در نتیجه، بازدهی تولید افزایش مییابد.
مصرف انرژی نیز کاهش مییابد؛ زیرا گرما به صورت دقیق و در زمان مناسب تزریق میشود، بدون اینکه هیترها بیفایده کار کنند. تعداد محصولات باکیفیت کمتر، تعداد کارهای تکراری کمتر، و زمان انجام فرآیند نیز بهتر خواهد بود.
آنچه باید در نظر بگیرید
این سیستم نیاز به سیستم تأمین انرژی و زمینسازی مناسب در اتاقهای تمیز دارد؛ همچنین، پروفایل حرارتی نیز باید با شرایط شیمیایی لایه روکش سیمکشی مطابقت داشته باشد.
فرآیند راهاندازی سیستم، کوتاه است؛ فقط کافی است تا تراکم انرژی فرستندهها و سرعت حرکت ویفر برای لایههای مختلف، تنظیم شود. پس از این کار، فرآیند تحت کنترل خواهد بود.
اما وقتی که لایه روکش تغییر کند، پروفایل حرارتی باید دوباره بررسی شود؛ این دقت، هزینهی حفظ یکنواختی فرآیند است.