方向性赤外線加熱：ウェーハ処理に必要な場所だけを適切に加熱し、オペレーターを傷つけない方法
半導体製造装置における問題点は、単純明快です。それは「不要な熱」の存在です。この不要な熱がエネルギーを奪い、コストを増加させ、装置の外部を危険な状態にしてしまいます。
私たちはこの問題を解決するために赤外線加熱ランプを開発しました。これにより、必要な場所だけに正確に熱を与えることができ、チャンバーの内壁には影響を与えません。
無駄な熱もなく、装置の外部が過度に高温になることもありません。必要な場所だけに集約された熱が効果的に作用します。
出力、電圧、形状：細部を正確に設計する
ウェーハ処理では、推測の余地はありません。そのため、毎回安定した、再現性のある加熱ができるようにランプを設計しています。
出力や電圧は、チャンバーの熱負荷に合わせて調整されます。十分な出力で迅速に目標温度に到達できる一方で、過剰な加熱を防ぐために制御も行われます。
また、ランプの長さや管径も、標準的な装置のポートや取り付け機構にフィットするように設計されています。スッキリとした構造で、手間もかかりません。
つまり、ホットゾーン全体を再設計することなく、より高い熱密度を得ることができます。
材料と設計：実際の現場に適した設計
ランプの本体には石英を使用しています。石英は高温でも安定して機能し、急激な温度変化にも耐えられます。これは実際の現場での信頼性を意味します。
方向性コーティングにより、不要な放射熱が装置の内壁を加熱することがありません。
また、R7sタイプの端子も実用的です。電流を適切に扱い、しっかりと固定されるため、ランプを簡単に交換できます。特別な固定具や配線の変更は不要です。
ウェーハ処理装置内での感覚
ウェーハ処理装置では、熱はチャンバーの内壁ではなく、処理面に直接当たる必要があります。
方向性赤外線加熱により、エネルギーが目的の場所に集中します。無駄な熱が減り、装置の外部の温度も下がります。
これにより、オペレーターの安全が守られ、周囲の部品の負担も軽減されます。
もちろん、高い熱密度を得るためには、装置の設計において適切な冷却システムや断熱処理が必要です。しかし、ランプをチャンバーに合わせて設計すれば、再現性のある温度制御が可能となり、ホットスポットや安全上の問題も大幅に減少します。